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Si7636DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.006
7000
0.005
0.004
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
6000
5000
4000
C iss
0.003
3000
0.002
2000
0.001
0.000
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 15 V
I D = 20 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 25 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.010
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.008
10
T J = 150 °C
0.006
I D = 25 A
1
0.1
T J = 25 °C
0.004
0.002
0.000
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72768
S09-0272-Rev. G, 16-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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